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高溫馬弗爐煅燒原理及影響煅燒的原因

2017-07-28

高溫馬弗爐也可稱為高溫箱式爐。 高溫馬弗爐按溫度可分為高溫馬弗爐按額定溫度來區(qū)分一般分為:1000℃、1200℃、1300℃、1400℃、1600℃、1700℃、1800℃。加熱元件:1000℃和1200℃馬弗爐一般用電爐絲,1300℃和1400℃馬弗爐用硅碳棒,1600℃、1700℃、1800℃馬弗爐用硅鉬棒。下面簡單介紹一下高溫馬弗爐的煅燒原理和影響煅燒的原因:

煅燒:在一定溫度下,于空氣或惰性氣流中進(jìn)行熱處理,稱為煅燒或焙燒。煅燒是天然化合物或人造化合物的熱離解或晶形轉(zhuǎn)變過程;此時化合物受熱離解為一種組分更簡單的化合物或發(fā)生晶形轉(zhuǎn)變。碳酸鹽的熱離解稱為焙解。煅燒作業(yè)可用于直接處理礦物原料以適于后續(xù)工藝要求,也可用以化學(xué)選礦后期處理而制取化學(xué)精礦,滿足用戶對產(chǎn)品的要求。煅燒過程主要發(fā)生的物理和化學(xué)變化有:
1.熱分解。除去化學(xué)結(jié)合水,CO2,NOx等揮發(fā)性雜質(zhì),在較高溫度下,氧化物還可能發(fā)生固相反應(yīng),形成有活性的化合狀態(tài);

2.再結(jié)晶,可得到一定的晶形、晶體大小、孔結(jié)構(gòu)和比表面;

3.微晶適當(dāng)燒結(jié),以提高機(jī)械強(qiáng)度。

影響煅燒過程的主要因素: 煅燒溫度、氣相成分、化合物的熱穩(wěn)定性等。因此根據(jù)各種化合物(如碳酸鹽、氧化物、氫氧化物一硫化物、含氧酸鹽等)的熱穩(wěn)定性不相同,采用控制煅燒溫度和氣相組成,可以選擇性改變某些化合物的組成或發(fā)生晶形的轉(zhuǎn)變,再用相應(yīng)方法處理,可以達(dá)到除去雜質(zhì)和使有用組分離富集的目的。

高溫馬弗爐煅燒原理及影響煅燒的原因

高溫馬弗爐也可稱為高溫箱式爐。 高溫馬弗爐按溫度可分為高溫馬弗爐按額定溫度來區(qū)分一般分為:1000℃、1200℃、1300℃、1400℃、1600℃、1700℃、1800℃。加熱元件:1000℃和1200℃馬弗爐一般用電爐絲,1300℃和1400℃馬弗爐用硅碳棒,1600℃、1700℃、1800℃馬弗爐用硅鉬棒。下面簡單介紹一下高溫馬弗爐的煅燒原理和影響煅燒的原因:

煅燒:在一定溫度下,于空氣或惰性氣流中進(jìn)行熱處理,稱為煅燒或焙燒。煅燒是天然化合物或人造化合物的熱離解或晶形轉(zhuǎn)變過程;此時化合物受熱離解為一種組分更簡單的化合物或發(fā)生晶形轉(zhuǎn)變。碳酸鹽的熱離解稱為焙解。煅燒作業(yè)可用于直接處理礦物原料以適于后續(xù)工藝要求,也可用以化學(xué)選礦后期處理而制取化學(xué)精礦,滿足用戶對產(chǎn)品的要求。煅燒過程主要發(fā)生的物理和化學(xué)變化有:
1.熱分解。除去化學(xué)結(jié)合水,CO2,NOx等揮發(fā)性雜質(zhì),在較高溫度下,氧化物還可能發(fā)生固相反應(yīng),形成有活性的化合狀態(tài);

2.再結(jié)晶,可得到一定的晶形、晶體大小、孔結(jié)構(gòu)和比表面;

3.微晶適當(dāng)燒結(jié),以提高機(jī)械強(qiáng)度。

影響煅燒過程的主要因素: 煅燒溫度、氣相成分、化合物的熱穩(wěn)定性等。因此根據(jù)各種化合物(如碳酸鹽、氧化物、氫氧化物一硫化物、含氧酸鹽等)的熱穩(wěn)定性不相同,采用控制煅燒溫度和氣相組成,可以選擇性改變某些化合物的組成或發(fā)生晶形的轉(zhuǎn)變,再用相應(yīng)方法處理,可以達(dá)到除去雜質(zhì)和使有用組分離富集的目的。

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